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IRF7403	文件：434.59 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7403；Package：SOP-8；Generation VTechology Generation VTechology Ultra Low On-Resistance NChannelMosfet Surface Mount Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free Features Description The SOP-8 has been modified throuah a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in 文件：434.59 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7403	文件：393.26 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Features Generation VTechology Ultra Low On-Resistance NChannelMosfet Surface Mount Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free 文件：393.26 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7403	文件：119.24 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：119.24 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7403TR	文件：393.26 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7403；Package：SOP-8；MOSFET Features Generation VTechology Ultra Low On-Resistance NChannelMosfet Surface Mount Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free 文件：393.26 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7403TR	文件：434.59 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF7403；Package：SOP-8；Generation VTechology Generation VTechology Ultra Low On-Resistance NChannelMosfet Surface Mount Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Lead-Free Features Description The SOP-8 has been modified throuah a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in 文件：434.59 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7403	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7403TRPBF	文件：119.24 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, p 文件：119.24 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7403_04	文件：231.41 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：231.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7403PBF	文件：231.41 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：231.41 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7403PBF	文件：236.99 Kbytes Page：9 Pages	GENERATION V TECHNOLOGY 文件：236.99 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF7403TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
22 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
35 mΩ
ID @25°C max：
8.5 A
QG typ @10V：
38 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
Technology：
IR MOSFET™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF7403供应商更新时间2025-10-4 14:08:00

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