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IRF7403	文件：434.59 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7403；Package：SOP-8；Generation VTechology GenerationVTechology UltraLowOn-ResistanceNChannelMosfet SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free Features Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthrouahacustomizedleadframe forenhancedthermalcharacteristicsandmultiple-diecapability makingitidealin	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7403	文件：393.26 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Features GenerationVTechology UltraLowOn-ResistanceNChannelMosfet SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7403TR	文件：434.59 Kbytes Page：8 Pages	Marking：IRF7403；Package：SOP-8；Generation VTechology GenerationVTechology UltraLowOn-ResistanceNChannelMosfet SurfaceMount Dynamicdv/dtRating FastSwitching Lead-Free Features Description TheSOP-8hasbeenmodifiedthrouahacustomizedleadframe forenhancedthermalcharacteristicsandmultiple-diecapability makingitidealin	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
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IRF7403TRPBF	文件：119.24 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRF7403_04	文件：231.41 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
IRF7403
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多IRF7403供应商更新时间2025-5-1 9:08:00

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