| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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VISHAYWQFN-24L |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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10年
留言
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VISHAYWQFN-24L |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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12年
留言
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IRTO-220AB |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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6年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
18500 |
23+ |
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1年
留言
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IRTO-220AB |
12888 |
26+ |
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6年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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6年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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17年
留言
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IRTO-220AB |
8866 |
24+ |
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16年
留言
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ir原厂封装 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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5年
留言
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Vishay SiliconixTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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14年
留言
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IRTO-220 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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6年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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5年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
10000 |
25+ |
原装现货假一罚十 |
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5年
留言
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IRTO-220AB |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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5年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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12年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220 |
12300 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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14年
留言
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IRTO-220AB |
16800 |
26+ |
原装现货 |
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16年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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4年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
90000 |
25+ |
全新原装现货 |
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1年
留言
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IR/VISHAYTSSOP-14 |
63000 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
IRF740LC采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF740LC图片
IRF740LCPBF价格
IRF740LCPBF价格:¥5.8218品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的IRF740LCPBF多少钱,想知道IRF740LCPBF价格是多少?参考价:¥5.8218。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRF740LCPBF批发价格及采购报价,IRF740LCPBF销售排行榜及行情走势,IRF740LCPBF报价。
IRF740LC中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF740LC功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF740LCL功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF740LCPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF740LCS功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF740LCSPBF制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRF740LCSTRL功能描述:MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件



























