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IRF740LC | Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve significantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive requirements and total system savings. I 文件：203.55 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | |
IRF740LC | Power MOSFET 文件：161.63 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | |
Power MOSFET 文件：161.63 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | ||
HEXFET-R POWER MOSFET 文件：1.70052 Mbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
Power MOSFET 文件：161.63 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | ||
Power MOSFET 文件：161.63 Kbytes 页数：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | Vishay | ||
IRF740LC | Power MOSFET • Ultra low gate charge\n• Reduced gate drive requirement\n• Enhanced 30 V VGS rating; | Vishay 威世科技 | Vishay | |
MOSFET N-CH400V HEXFET MOSFET | Vishay 威世科技 | Vishay | ||
HEXFET-R POWER MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IRF740LC
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2015+ |
TO-220AB |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
原厂原包 |
23945 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
20+ |
TO-220AB |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-220AB |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY |
25+ |
TO-220 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
IR/VISHAY |
23+ |
TO-220AB |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
21+ |
TO-220AB |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
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