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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRF7455PBF | HEXFET Power MOSFET Benefits ● Ultra-Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Low Charge and Low Gate Impedance to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Converters with Synchronous Rectification ● Lead-Free 文件：1.02603 Mbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
IRF7455PBF | HIGH FREQUENCY DC-DC CONVERTERS WITH SYNCHRONOUS RECTIFICATION 文件：1.0313 Mbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | |
HIGH FREQUENCY DC-DC CONVERTERS WITH SYNCHRONOUS RECTIFICATION 文件：1.0313 Mbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：674.42 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：674.42 Kbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装 | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- VDS max：
30.0V
- RDS (on) max：
7.5mΩ
- RDS (on)(@10V) max：
7.5mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max：
9.0mΩ
- Polarity ：
N
- ID (@ TA=70°C) max：
12.0A
- ID (@ TA=25°C) max：
15.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
- QG ：
37.0nC
- RthJA max：
50.0K/W
- Mounting ：
SMD
- Moisture Sensitivity Level ：
1
- Qgd ：
13.0nC
- VGS max：
12.0V
- Tj max：
150.0°C
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
8SOICN |
4386 |
询价 | |||
Infineon |
24+ |
NA |
3886 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
292 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
INTERNATIONALRECTIFIER |
2447 |
NA |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
SOP-8 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
4597 |
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询价 | ||
IR |
25+ |
SOP8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
8SOIC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
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