| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSO-8 |
1842 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
6700 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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IRSOP8 |
5000 |
23+ |
绝对全新原装!现货!特价!请放心订购! |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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IORSOP8 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IR |
84185 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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SOP-8 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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SOP-8 |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市轩祺电子有限公司2年
留言
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IRSOP-8P |
10000 |
22+ |
只做原装，可配单 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
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NA |
74630 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
125 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IORSOP8 |
10000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IORSOP8 |
10000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
65480 |
23+ |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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IRSOP-8 |
5280 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IOR原厂原装 |
57911 |
06+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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原厂IC |
1 |
13+ |
普通 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOP8 |
1050 |
23+ |
优势库存 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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IOR |
9750 |
21451+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
IRF7326采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRF7326图片
IRF7326D2TRPBF价格
IRF7326D2TRPBF价格：￥2.3212品牌：International
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IRF7326中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7326D2功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7326D2PBF功能描述:MOSFET FETKY 30V VBRD 7.7mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7326D2TR功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7326D2TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.6A 100mOhm 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
