| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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ON/安森美TO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
3744 |
01+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
227 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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STTO-220 |
65400 |
23+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-220 |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
2000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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FSCTO-220 |
28846 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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原装STMTO-220 |
20000 |
19+ |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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原装STMTO-220&NBSP |
6500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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STTO-220 |
40287 |
22+ |
原装正品现货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FSCTO-220 |
4950 |
02+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-220AB |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IRTOP220 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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irTO-220 |
5800 |
06+ |
自己公司全新库存绝对有货 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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STTO-220 |
67086 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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FSCTO-220 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装 |
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IRF730APBF价格
IRF730APBF价格：￥4.5042品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的IRF730APBF多少钱，想知道IRF730APBF价格是多少？参考价：￥4.5042。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRF730APBF批发价格及采购报价，IRF730APBF销售排行榜及行情走势，IRF730APBF报价。
IRF730A资讯
IRF730AS(S) 腾利达电子有限公司
庄先生/李小姐0755-82539601传真:0755-82539602 主营三极管（场效应，可控硅，快恢复，肖特基，达林顿，三四五端稳压，IR，FSC，ON，ST，INF。
IRF730A中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF730A功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF730AL功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF730ALPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF730APBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF730AS功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF730ASPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF730ASTRL功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF730ASTRLPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF730ASTRR功能描述:MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF730ASTRRPBF功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
