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AO3409	文件：54.92 Kbytes Page：2 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -2.6 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：54.92 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3409	文件：1.23034 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -2.6 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：1.23034 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3409	文件：118.89 Kbytes Page：4 Pages	丝印：A9**；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3409 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3409L is a Green Product order 文件：118.89 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3409	文件：784.97 Kbytes Page：7 Pages	P- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package Descriptions P- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. Features VDS (V) = -30V ID = -2.6 A(VGS= -10V) RDS(ON) 文件：784.97 Kbytes 页数：7 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
AO3409	文件：349.26 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-Encapsulate Mosfets P-Channel MOSFET FEATURES • The AO3409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 文件：349.26 Kbytes 页数：4 Pages	HOTTECH 合科泰	HOTTECH
AO3409	文件：239.64 Kbytes Page：5 Pages	丝印：A9**；Package：SOT-23；30V P-Channel MOSFET 文件：239.64 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3409	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO3409A	文件：1.9401 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A96X；Package：SOT-23；Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish Features VDS (V) = -30V ID = -2.6 A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：1.9401 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO3409A	文件：1.80559 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A96XU19；Package：SOT-23；MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -2.6 A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：1.80559 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO3409-HF	文件：1.39466 Mbytes Page：4 Pages	丝印：A9；Package：SOT-23-3；P-Channel Enhancement MOSFET Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -2.6 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：1.39466 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

详细参数

型号：
AO3409
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -2.6A SOT23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多AO3409供应商更新时间2025-10-4 10:03:00

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