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AO3409 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -2.6 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：54.92 Kbytes 页数：2 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | |
AO3409 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -2.6 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：1.23034 Mbytes 页数：4 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | |
AO3409 | 丝印：A9**；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO3409 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3409L is a Green Product order 文件：118.89 Kbytes 页数：4 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | |
AO3409 | P- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package Descriptions P- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. Features VDS (V) = -30V ID = -2.6 A(VGS= -10V) RDS(ON) 文件：784.97 Kbytes 页数：7 Pages | FOSHAN 蓝箭电子 | FOSHAN | |
AO3409 | Plastic-Encapsulate Mosfets P-Channel MOSFET FEATURES • The AO3409 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. 文件：349.26 Kbytes 页数：4 Pages | HOTTECH 合科泰 | HOTTECH | |
AO3409 | 丝印：A9**；Package：SOT-23；30V P-Channel MOSFET 文件：239.64 Kbytes 页数：5 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | |
AO3409 | P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET | AOS 美国万代 | AOS | |
丝印：A96X；Package：SOT-23；Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish Features VDS (V) = -30V ID = -2.6 A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：1.9401 Mbytes 页数：5 Pages | UMW 友台半导体 | UMW | ||
丝印：A96XU19；Package：SOT-23；MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -2.6 A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：1.80559 Mbytes 页数：5 Pages | EVVOSEMI 翊欧 | EVVOSEMI | ||
丝印：A9；Package：SOT-23-3；P-Channel Enhancement MOSFET Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -2.6 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：1.39466 Mbytes 页数：4 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN |
详细参数
- 型号：
AO3409
- 功能描述：
MOSFET P-CH -30V -2.6A SOT23
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS美国万代 |
24+ |
SOT23-3 |
888000 |
万代代理商 优势现货 AOS全系列 场效应管 |
询价 | ||
AOS(万代) |
25+ |
标准封装 |
8213 |
我们只是原厂的搬运工 |
询价 | ||
AOS |
25+ |
SOT23-3L |
98961 |
原厂代理MOS管,原装现货 |
询价 | ||
AOS/万代 |
25+ |
SOT23-3 |
36281 |
AOS/万代全新特价AO3409即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
AOS |
16+ |
SOT-23 |
9222 |
询价 | |||
AOS/万代 |
2019+ |
SOT23-3 |
3470 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
WINSOK |
2021+ |
原厂原封装 |
93628 |
原装进口现货 假一罚百 |
询价 | ||
AOS/万代 |
18+ |
SOT-23 |
3000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
AOS/万代 |
2023+ |
SOT23 |
15000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
询价 | ||
AOS |
25+ |
SOT-23 |
6000 |
全新原装现货、诚信经营! |
询价 |
