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AO6409	文件：336.22 Kbytes Page：5 Pages	丝印：D9**；Package：SOT-26；20V P-Channel MOSFET 文件：336.22 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6409	文件：136.66 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：136.66 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AO6409	文件：1.7713 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.7713 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6409	文件：1.00191 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00191 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO6409	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术用于生产P 沟道功率 MOSFET，其具有卓越的鲁棒性，是负载切换、电池保护和电机驱动的理想选择。	AOS 美国万代	AOS
AO6409A	文件：2.04244 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：2.04244 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6409A	文件：329.17 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：329.17 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6409A-HF	文件：2.060969 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：2.060969 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6409AL	文件：285.62 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode 文件：285.62 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6409-HF	文件：2.05646 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET 文件：2.05646 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

详细参数

型号：
AO6409
功能描述：
MOSFET P-CH -20V -5A 6-TSOP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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