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AO3414	文件：113.15 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO3414usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO3414isPb-free(meetsROHS&Sony259spec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3414	文件：53.51 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Features •VDS(V)=20V •ID=4.2A(VGS=4.5V) •RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3414	文件：1.25111 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET Features •VDS(V)=20V •ID=4.2A(VGS=4.5V) •RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3414	文件：1.03581 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters •LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO3414	文件：341.29 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Features VDS(V)=20V ID=4.2A(VGS=4.5V) RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO3414	文件：430.77 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3414A	文件：2.44954 Mbytes Page：5 Pages	Marking：AETL；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement MOSFET Features VDS(V)=20V ID=4.2A(VGS=4.5V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO3414-HF	文件：1.265 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET Features ●VDS(V)=20V ●ID=4.2A(VGS=4.5V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO3414L	文件：113.15 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO3414usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO3414isPb-free(meetsROHS&Sony259spec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO3414_10	文件：430.77 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO3414
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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更多AO3414供应商更新时间2025-7-12 10:03:00

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