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AO4406A	文件：333.74 Kbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4406AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)13A RDS(ON)(atVGS=10V)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4406A	文件：2.58093 Mbytes Page：6 Pages	30V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4406AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)13A RDS(ON)(atVGS	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4406A	文件：1.75377 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=13A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4406A	文件：1.00685 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronousRectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4406A	文件：1.51183 Mbytes Page：5 Pages	Marking：AO4406；Package：SOP-8；11N06C 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralFeaturesVDS=30VID=12A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4406A	文件：1.31775 Mbytes Page：5 Pages	Marking：AO4406；Package：SOP-8；30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description TheAO4406Ausesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=30VID=12A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO4406A-HF	文件：2.07382 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=13A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4406AL	文件：158.12 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4406ALusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSandgeneralpurposeapplications. Features VDS(V)=30V ID=12A(VGS=10V) RDS(ON)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4406A
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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