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|---|---|---|---|---|
AO4492 | 30V N-Channel MOSFET 文件：510.4 Kbytes 页数：6 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | |
AO4492 | 丝印：4492；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET 文件：2.0668 Mbytes 页数：5 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN | |
AO4492 | 低压MOSFET (12V - 30V) 30V N-Channel MOSFET | AOS 美国万代 | AOS | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4492L uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for high side switch in SMPS and general purpose applications. - RoHS Compliant - Halogen Free Features VDS (V) = 30V ID = 13A (VGS = 10V) RDS( 文件：144.69 Kbytes 页数：6 Pages | AOSMD 万国半导体 | AOSMD | ||
丝印：4492；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET 文件：2.52111 Mbytes 页数：5 Pages | KEXIN 科信电子 | KEXIN |
详细参数
- 型号：
AO4492
- 功能描述：
MOSFET N CH 30V 14A SOIC 8
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
25+ |
SOP-8 |
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3470 |
原厂渠道 可含税出货 |
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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120000 |
原装正品 可含税交易 |
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原厂原装正品 |
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