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AO6404	文件：114.17 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6404 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. Standard Product AO6404 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). A 文件：114.17 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6404	文件：1.63208 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 8.6 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.63208 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6404	文件：219.28 Kbytes Page：4 Pages	20V N-Channel MOSFET 文件：219.28 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6404	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 20V N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO6404-HF	文件：1.95175 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 8.6 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.95175 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6404L	文件：114.17 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6404 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. Standard Product AO6404 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). A 文件：114.17 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6404_12	文件：219.28 Kbytes Page：4 Pages	20V N-Channel MOSFET 文件：219.28 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
20
10V：
17
4.5V：
18
2.5V：
24
1.8V：
33
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
8.60
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
17.90
VGS(th) max (V)：
1
Ciss (pF)：
1810
Coss (pF)：
232
Crss (pF)：
200
Qgd (nC)：
4.70
tD(on) (ns)：
2.50
tD(off) (ns)：
49
Trr (ns)：
22
Qrr (nC)：
9.80
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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