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AO6420

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO6420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS (V) = 60V ID = 4.2A (VGS = 10V) RDS(ON)

文件:131.14 Kbytes 页数:4 Pages

AOSMD

万国半导体

AO6420

N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID =4.2 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

文件:1.1081 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

AO6420

60V N-Channel MOSFET

文件:201.03 Kbytes 页数:4 Pages

AOSMD

万国半导体

AO6420

中压MOSFET (40V - 400V)

60V N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AO6420-HF

N-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = 60V ● ID =4.2 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

文件:1.92921 Mbytes 页数:4 Pages

KEXIN

科信电子

AO6420_12

60V N-Channel MOSFET

文件:201.03 Kbytes 页数:4 Pages

AOSMD

万国半导体

技术参数

  • Package:

    TSOP-6L

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    60

  • VGS (±V):

    20

  • 10V:

    60

  • 4.5V:

    75

  • ID @ 25°C (A):

    4.20

  • PD @ 25°C (W):

    2

  • Qg (10V)(nC):

    9.50

  • Qg (4.5V)(nC):

    4.30

  • VGS(th) max (V):

    3

  • Ciss (pF):

    450

  • Coss (pF):

    60

  • Crss (pF):

    25

  • Qgd (nC):

    2.20

  • tD(on) (ns):

    5.10

  • tD(off) (ns):

    15.90

  • Trr (ns):

    25.10

  • Qrr (nC):

    28.70

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    Yes

  • Tj max (°C):

    150

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更多AO6420供应商 更新时间2025-10-9 10:03:00