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AO6420	文件：131.14 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO6420usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. ProductSummary VDS(V)=60V ID=4.2A(VGS=10V) RDS(ON)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6420	文件：1.1081 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=60V ●ID=4.2A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6420	文件：201.03 Kbytes Page：4 Pages	60V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO6420-HF	文件：1.92921 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=60V ●ID=4.2A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO6420_12	文件：201.03 Kbytes Page：4 Pages	60V N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BCM6420	文件：140.21 Kbytes Page：2 Pages	LOW-POWER,HIGH-DENSITYCENTRALOFFICEADSLSOLUTION	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM6420	文件：162 Kbytes Page：1 Pages	LOWPOWERHIGHDENSITYCENTRALOFFICEADSLSOLUTION	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
BCM6420IPB	文件：162 Kbytes Page：1 Pages	LOWPOWERHIGHDENSITYCENTRALOFFICEADSLSOLUTION	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半导体	BOARDCOM
C6420	文件：300.07 Kbytes Page：3 Pages	Purpose-builtforhighperformancehyperscaleworkloads TechnicalSpecification	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
CD6420	文件：815.34 Kbytes Page：52 Pages	FULLDUPLEXSPEAKERPHONECHIP GeneralDescription Mostmodernspeakerphonesusehalf-duplexoperation,whichswitchestransmissionbetweenthefar-endtalkerandthespeakerphoneuser.Thisisdonebecausetheacousticcouplingbetweenthespeakerandmicrophoneismuchhigherinspeakerphonesthaninhandsetswherethecoupl	CIRRUSCirrus Logic 凌云逻辑	CIRRUS

详细参数

型号：
AO6420
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 4.2A TSOP-6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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