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AO6602L

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6602 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6

文件:146 Kbytes 页数:7 Pages

AOSMD

万国半导体

MPS6602

Amplifier Transistors

Amplifier Transistors Voltage and current are negative for PNP transistors

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MOTOROLA

摩托罗拉

MPS6602

Amplifier Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MPS6602G

Amplifier Transistors

文件:79.14 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    AO6602L

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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