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MPS6602	文件：30.01 Kbytes Page：1 Pages	NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR) AMPLIFIERTRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCES=40V •CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
MPS6602	文件：82.11 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY HIGH CURRENT AMPLIFIER TRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS6602	文件：122.37 Kbytes Page：2 Pages	NJ Semi-Conductors reserves the right to change test conditions, parameter limit NJSemi-Conductorsreservestherighttochangetestconditions,parameterlimit	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MPS6602	文件：246.1 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MPS6602	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6602	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 1A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MPS6602RLRA	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6602RLRAG	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6602G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 1A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6602RLRAG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 1A TO92	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
6602	文件：175.77 Kbytes Page：3 Pages	PHASESHIFTERDCTO2,4AND8GHz,COAXIALHIGHPOWER	APITECH API Technologies Corp	APITECH
6602	文件：148.09 Kbytes Page：3 Pages	PHASESHIFTERDCTO2,4AND8GHZ,COAXIALHIGHPOWER FEATURES •TypeNConnectorsStandard •OptionsfromDCto8Ghz •HighPower,TromboneStyleCoaxialStructure •MilitaryGradeMaterialsandProcessing •-40to+125ºCOperatingTemperatureRange	FILTRONICFiltronic Compound Semiconductors Filtronic Compound Semiconductors	FILTRONIC
ACE6602B	文件：874.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACE6602BPN+H	文件：874.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ADRF6602	文件：834.01 Kbytes Page：32 Pages	1200MHzto3600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF6602	文件：504.01 Kbytes Page：24 Pages	2100MHzto2600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF6602	文件：517.82 Kbytes Page：24 Pages	1550MHzto2150MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADRF6602-EVALZ	文件：517.82 Kbytes Page：24 Pages	1550MHzto2150MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AM6602	文件：883.14 Kbytes Page：12 Pages	DUALENHANCEMENTMODEMOSFET(N-ANDP-CHANNEL) DESCRIPTION AM6602isavailableinaSOT-26package. FEATURES N-Channel 30V/4.9A, RDS(ON)=39mΩ(max.)@VGS=10V RDS(ON)=68mΩ(max.)@VGS=4.5V P-Channel -30V/-3A, RDS(ON)=100mΩ(max.)@VGS=-10V RDS(ON)=170mΩ(max.)@VGS=-4.5V ReliableandRugged LeadFreeandGreenDevicesAvai	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI

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产品属性

产品编号：
MPS6602
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 40V 1A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MPS6602供应商更新时间2024-4-30 16:00:00

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