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AOB20C60PL	文件：452.75 Kbytes Page：6 Pages	600V,20A N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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AOT20C60P	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.26Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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AOT20C60PL	文件：452.74 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentCapability	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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F20C60A	文件：760.47 Kbytes Page：2 Pages	20AmpereHeatSinkDualCommonAnodeFastRecoveryHalfRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

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