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MPS6602G	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS NPN 40V 1A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6602G	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6602G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 长体；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 1A TO92	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6602RLRA	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MPS6602RLRAG	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	Amplifier Transistors 文件：79.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NCE6602	文件：2.067949 Mbytes Page：10 Pages	N- and P-Channel V (D-S) MOSFET 文件：2.067949 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

产品属性

产品编号：
MPS6602G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 100mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 500mA，1V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 40V 1A TO92

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更多MPS6602G供应商更新时间2025-10-5 15:01:00

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