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AO6602L规格书详情
General Description
The AO6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6602 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6602L is a Green Product ordering option. AO6602 and AO6602L are electrically identical.
特性 Features
n-channel p-channel
VDS (V) = 30V -30V
ID = 3.1A (VGS = 10V) -2.7A (VGS = -10V)
RDS(ON)
< 75mΩ (VGS = 10V) < 100mΩ(VGS = -10V)
产品属性
- 型号：
AO6602L
- 功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ALPHA |
24+ |
NA/ |
3849 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
AOS/ 万代 |
25+ |
SOT23-6 |
244 |
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询价 | ||
AOS/万代 |
2517+ |
SOT23-6 |
8850 |
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询价 | ||
SOT-163 |
23+ |
NA |
15659 |
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AOS |
15+ |
SOT23-6 |
1365 |
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AOS/万代 |
25+ |
SOT-23-6 |
20300 |
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AOS/万代 |
21+ |
SOT-163 |
30000 |
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AO |
22+ |
SOT23-6 |
30000 |
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询价 | ||
AOS |
25+23+ |
SOT23-6 |
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AOS(万代) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 |
