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AO6601规格书详情
General Description
The AO6601 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6601 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6601L is a Green Product ordering option. AO6601 and AO6601L are electrically identical.
Features
n-channel p-channel
VDS (V) = 30V -30V
ID = 3.4A (VGS = 10V) -2.3A (VGS = -10V)
RDS(ON)
< 60mΩ (VGS = 10V) < 135mΩ (VGS = -10V)
< 75mΩ (VGS = 4.5V) < 185mΩ (VGS = -4.5V)
产品属性
- 型号：
AO6601
- 功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
24+ |
TSOP |
22048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
NA/ |
6000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
AOS |
2016+ |
SOT163 |
3500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
AOS/万代 |
22+ |
SOT-23 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
AO |
25+ |
SOT163 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
询价 | ||
AO |
24+ |
SOT163 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
AOS/万代 |
22+ |
TSOP-6L |
25000 |
AOS/万代全系列在售 |
询价 | ||
AOS |
15+ |
SOT23 |
1063 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
AOS(万代)/UMW(友台) |
24+ |
SOT-23-6 |
5000 |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
询价 | ||
AOS(万代) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |
