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厂商型号

AO6602

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

146 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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更新时间

2025-11-30 14:36:00

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AO6602规格书详情

General Description

The AO6602 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6602 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6602L is a Green Product ordering option. AO6602 and AO6602L are electrically identical.

特性 Features

n-channel p-channel

VDS (V) = 30V -30V

ID = 3.1A (VGS = 10V) -2.7A (VGS = -10V)

RDS(ON)

< 75mΩ (VGS = 10V) < 100mΩ(VGS = -10V)

产品属性

  • 型号:

    AO6602

  • 制造商:

    Alpha & Omega Semiconductor

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.7A 6-Pin TSOP T/R

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH COMPL 30V 6-TSOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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