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AO4611	文件：166.37 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4611 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Standard Product AO4611 is Pb-free (meets ROHS & Sony 文件：166.37 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4611	文件：219.56 Kbytes Page：7 Pages	60V Dual P N-Channel MOSFET General Description The AO4611 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Product Summary N-Channel P-Chann 文件：219.56 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4611	文件：1.69339 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4611；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 60V ID = 6.3 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.69339 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4611	文件：1.18594 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested APPLICATIONS • CCFL Inverter 文件：1.18594 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4611	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补型功率MOSFETs 60V Dual P + N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4611_10	文件：219.56 Kbytes Page：7 Pages	60V Dual P N-Channel MOSFET General Description The AO4611 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Product Summary N-Channel P-Chann 文件：219.56 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4611-HF	文件：3.06771 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4611；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 60V ID = 6.3 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：3.06771 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4611L	文件：166.37 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4611 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. Standard Product AO4611 is Pb-free (meets ROHS & Sony 文件：166.37 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4611
功能描述：
MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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