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AO4807	文件：380.68 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -30V ID = -6 A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：380.68 Kbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4807	文件：362.6 Kbytes Page：6 Pages	丝印：AO4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET General Description The AO4807 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -30V ID = -6 A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：362.6 Kbytes 页数：6 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4807	文件：1.05505 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches 文件：1.05505 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4807	文件：1.94748 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4807；Package：SOP-8；Dual P-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET Application © DCOCConverters. © Load Switch © PowerManagement 文件：1.94748 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4807	文件：2.30941 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4807；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -6 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：2.30941 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4807	文件：111.33 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4807 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4807 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4807L is a Green Pr 文件：111.33 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4807	文件：623.67 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET 文件：623.67 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4807	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V Dual P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4807	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V P MOSFET	JGSEMI 台湾金锆	JGSEMI
AO4807	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-ChannelEnhancement Mode Power MOSFET	Techpublic 台舟电子	Techpublic

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
35
4.5V：
58
ID @ 25°C (A)：
-6
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
6.70
Qg (10V)(nC)：
13.60
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
760
Coss (pF)：
140
Crss (pF)：
95
Qgd (nC)：
3.20
tD(on) (ns)：
8
tD(off) (ns)：
17
Trr (ns)：
15
Qrr (nC)：
9.70
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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