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AO6415	文件：112.15 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO6415 is Pb-free (meets ROH 文件：112.15 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6415	文件：1.72596 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3.3A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.72596 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6415	文件：316.5 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：316.5 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6415	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 20V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO6415-HF	文件：2.02614 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-20V ● ID =-3.3A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.02614 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6415L	文件：112.15 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO6415 is Pb-free (meets ROH 文件：112.15 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6415_11	文件：316.5 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：316.5 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
12
10V：
82
4.5V：
100
2.5V：
140
ID @ 25°C (A)：
-3.30
PD @ 25°C (W)：
1.25
Qg (4.5V)(nC)：
3.20
VGS(th) max (V)：
-1.20
Ciss (pF)：
325
Coss (pF)：
63
Crss (pF)：
37
Qgd (nC)：
0.90
tD(on) (ns)：
11
tD(off) (ns)：
22
Trr (ns)：
6.10
Qrr (nC)：
1.40
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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更多AO6415供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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