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AO4616	文件：156.66 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4616usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedininverterandotherapplications.StandardProductAO4616isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4616LisaGreenProdu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4616	文件：1.84608 Mbytes Page：7 Pages	Complementary Trench MOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=8A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4616	文件：1.2314 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •MotorDrive •MobilePowerBank	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AO4616	文件：540.11 Kbytes Page：11 Pages	30V P-Channel And N-Channel MOSFET ProductSummary N-Channel VDS30V ID(atVGS=-10V)8A RDS(ON)(atVGS=10V)	UMWUMW 友台友台半导体
AO4616	文件：387.94 Kbytes Page：9 Pages	30V Complementary MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4616-HF	文件：3.13403 Mbytes Page：7 Pages	Complementary Trench MOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=30V ID=8A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4616L	文件：156.66 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4616usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedininverterandotherapplications.StandardProductAO4616isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4616LisaGreenProdu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4616_11	文件：387.94 Kbytes Page：9 Pages	30V Complementary MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
4616	文件：735.51 Kbytes Page：9 Pages	VHBTape-SpecialtyTapes	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
4616	文件：80.25 Kbytes Page：1 Pages	Quickexhaustvalve	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
4616	文件：4.35527 Mbytes Page：10 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The4616usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)andlowgatecharge.Thecomplementary MOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighside switch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=30V,ID=8.0A RDS(ON)	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司
4616	文件：340.26 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®-TiteEMCBrassLiquidTightCordgrips	Heyco Heyco
AK4616	文件：814.95 Kbytes Page：46 Pages	24bit3ch/5chAudioCODECwithMicAmplifier	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AK4616VQ	文件：814.95 Kbytes Page：46 Pages	24bit3ch/5chAudioCODECwithMicAmplifier	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
CD4616	文件：112.2 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODECHIPS •1N4614THRU1N4627AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4614THRU1N4627 •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
CDLL4616	文件：109.68 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED	CDI-DIODE Compensated Deuices Incorporated
CDLL4616	文件：122.75 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
CDLL4616C	文件：122.75 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
CDLL4616D	文件：122.75 Kbytes Page：2 Pages	LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司
CLL4616	文件：305.02 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNT500mWLOWNOISESILICONZENERDIODES5TOLERANCE	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体

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详细参数

型号：
AO4616
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多AO4616供应商更新时间2024-4-19 15:02:00

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