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AO4618

40V Complementary MOSFET

GeneralDescription TheAO4618usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThiscomplementaryNandPchannelMOSFETconfigurationisidealforlowInputVoltageinverterapplications. ProductSummary N-ChannelP-Channel VDS=40V

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

万国半导体美国万国半导体

AO4618

Marking:4618;Package:SOP-8;Complementary Trench MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

AO4618

N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

AO4618

N-Chanel and P-Channel MOSFET use advanced trench technology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

AO4618-HF

Marking:4618;Package:SOP-8;Complementary Trench MOSFET

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

AP4618CDT

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

CD4618

ZENERDIODECHIPS

•1N4614THRU1N4627AVAILABLEINJANHCANDJANKCPERMIL-PRF-19500/435 •ZENERDIODECHIPS •ALLJUNCTIONSCOMPLETELYPROTECTEDWITHSILICONDIOXIDE •ELECTRICALLYEQUIVALENTTO1N4614THRU1N4627 •0.5WATTCAPABILITYWITHPROPERHEATSINKING •COMPATIBLEWITHALLWIREBONDINGANDDIEATTAC

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDLL4618

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

•1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

CDLL4618

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

•1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED

CDI-DIODE

Compensated Deuices Incorporated

CDLL4618C

LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT

•1N4614UR-1THRU1N4627UR-1AVAILABLEINJAN,JANTX,JANTXVANDJANSPERMIL-PRF-19500/435 •LEADLESSPACKAGEFORSURFACEMOUNT •LOWCURRENTOPERATIONAT250µA •METALLURGICALLYBONDED

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

详细参数

  • 型号:

    AO4618

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH 40V 8/7A 8SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AO4618供应商 更新时间2025-6-13 17:06:00