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AO4618	文件：1.1759 Mbytes Page：9 Pages	40V Complementary MOSFET General Description The AO4618 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This complementary N and P channel MOSFET configuration is ideal for low Input Voltage inverter applications. Product Summary N-Channel P-Channel VDS= 40V 文件：1.1759 Mbytes 页数：9 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4618	文件：2.60036 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4618；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET 文件：2.60036 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4618	文件：1.19409 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET 文件：1.19409 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4618	文件：3.77263 Mbytes Page：9 Pages	N-Chanel and P-Channel MOSFET use advanced trench technology 文件：3.77263 Mbytes 页数：9 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4618	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：Complementary AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AO4618-HF	文件：3.3287 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4618；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET 文件：3.3287 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

详细参数

型号：
AO4618
功能描述：
MOSFET N/P-CH 40V 8/7A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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