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AO6405	文件：284.62 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6405 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6405 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6405L is a Green Product orde 文件：284.62 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6405	文件：1.72867 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.72867 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6405	文件：506.6 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：506.6 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6405	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO6405-HF	文件：2.47893 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.47893 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6405L	文件：284.62 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6405 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6405 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6405L is a Green Product orde 文件：284.62 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6405_11	文件：506.6 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：506.6 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
52
4.5V：
87
ID @ 25°C (A)：
-5
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
4.60
Qg (10V)(nC)：
9.20
VGS(th) max (V)：
-2.40
Ciss (pF)：
520
Coss (pF)：
100
Crss (pF)：
65
Qgd (nC)：
2.20
tD(on) (ns)：
7.50
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
5.30
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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