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AO4818B	文件：1.048319 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookSystemPower •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4818B	文件：304.87 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-channel MOSFET GeneralDescription TheAO4818BusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)8A	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4818B	文件：2.06928 Mbytes Page：5 Pages	Marking：4818B；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4818B-HF	文件：2.53885 Mbytes Page：5 Pages	Marking：4818B；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4818-HF	文件：1.91197 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4818L	文件：204.73 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4818usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4818isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4818LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BU4818	文件：405.58 Kbytes Page：16 Pages	LowVoltageStandardCMOSVoltageDetectorICs	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU4818	文件：405.58 Kbytes Page：16 Pages	LowVoltageStandardCMOSVoltageDetectorICsUltra-lowcurrentconsumption	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU4818	文件：291.36 Kbytes Page：6 Pages	LowVoltageDetectorIC	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU4818	文件：295.75 Kbytes Page：6 Pages	WSILICONMONOLITHICINTEGRATDECIRCUIT	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
AO4818B
功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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