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AOB27S60L	文件：542.28 Kbytes Page：7 Pages	600V 27A a MOS General Description The AOT27S60& AOB27S60 & AOTF27S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche 文件：542.28 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB27S60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 27A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOK27S60	文件：249.65 Kbytes Page：6 Pages	600V 27A a MOS Power Transistor General Description The AOK27S60 has been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability this part can be a 文件：249.65 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK27S60L	文件：405.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Be suitable for synchronous rectification for server and general purpose applications • FEATURES • Drain Current –ID= 27A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.16Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum 文件：405.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOK27S60L	文件：478.52 Kbytes Page：6 Pages	600V 27A a MOS General Description The AOK27S60 has been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability this part can be a 文件：478.52 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO263
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
27
PD @ 25°C (W)：
357
10V：
160
Qg (10V)(nC)：
26
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
1294
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
2.30
Qgd (nC)：
8.80
tD(on) (ns)：
31
tD(off) (ns)：
99
Trr (ns)：
440
Qrr (nC)：
7500
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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