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AO4822A	文件：116.63 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4822A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4822A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4822AL is a Green Product or 文件：116.63 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4822A	文件：2.3476 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4822A；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 8A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.3476 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4822A	文件：1.04822 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Notebook System Power • Low Current DC/DC 文件：1.04822 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4822A	文件：304.9 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-channel MOSFET 文件：304.9 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4822A-HF	文件：2.62496 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4822A；Package：SOP-8；Dual N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 8A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.62496 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
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AO4822A_10	文件：304.9 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-channel MOSFET 文件：304.9 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4822A	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 30V Dual N-channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4822A	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N+N MOSFET	JGSEMI 台湾金锆	JGSEMI
AO4822A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
19
4.5V：
26
VGS (±V)：
20
ID @ 25°C (A)：
8
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
7.50
Qg (10V)(nC)：
15
VGS(th) max (V)：
2.40
Ciss (pF)：
740
Coss (pF)：
110
Crss (pF)：
82
Qgd (nC)：
3
tD(on) (ns)：
5
tD(off) (ns)：
19
Trr (ns)：
8
Qrr (nC)：
18
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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