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AO4822A	文件：116.63 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4822AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822ALisaGreenProductor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4822A	文件：2.3476 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4822A	文件：1.04822 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookSystemPower •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4822A	文件：304.9 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4822A-HF	文件：2.62496 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4822AL	文件：116.63 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4822AusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822AisPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822ALisaGreenProductor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4822A_10	文件：304.9 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual N-channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
4822	文件：235.62 Kbytes Page：1 Pages	NYLONHEXSTANDOFF [KEYSTONE] MALE/FEMALETHREADEDSTANDOFFS PC104MOUNTINGKITS NYLONSTANDOFFS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AO4822	文件：304.99 Kbytes Page：6 Pages	30VDualN-channelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4822	文件：2.57955 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4822	文件：1.04825 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •NotebookSystemPower •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4822	文件：110.87 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4822usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4822	文件：3.36305 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GENERALFEATURES RDS(ON)≤35m@VGS=10V RDS(ON)≤45m2@VGS=4.5V SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO4822-HF	文件：2.62409 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=8A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4822L	文件：110.87 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4822usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4822isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4822LisaGreenProductorder	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
BQ4822Y	文件：104.08 Kbytes Page：16 Pages	RTCModuleWith8Kx8NVSRAM	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BSO4822	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BU4822	文件：266.76 Kbytes Page：9 Pages	LowVoltageStandardCMOSVoltageDetectorICSeries	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU4822	文件：290.68 Kbytes Page：9 Pages	LowVoltageStandardCMOSVoltageDetectorICs	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BU4822	文件：407.86 Kbytes Page：16 Pages	LowVoltageStandardCMOSVoltageDetectorICs	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
AO4822A
功能描述：
MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AO4822A供应商更新时间2024-5-16 11:47:00

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