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AO7415	文件：113.5 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO7415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge, and operation with gate voltages as low as 2.5V, in the small SOT363 footprint. It can be used for a wide variety of applications, including load switching, low current inverters and low 文件：113.5 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO7415	文件：1.01675 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch for Portable Devices - Cellular Phone - DSC - Portable Game Console - MP3 - GPS 文件：1.01675 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO7415	文件：219.5 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：219.5 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO7415	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 20V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO7415L	文件：113.5 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO7415 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge, and operation with gate voltages as low as 2.5V, in the small SOT363 footprint. It can be used for a wide variety of applications, including load switching, low current inverters and low 文件：113.5 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO7415_11	文件：219.5 Kbytes Page：5 Pages	20V P-Channel MOSFET 文件：219.5 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SC70-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-20
VGS (±V)：
12
10V：
100
4.5V：
125
2.5V：
170
ID @ 25°C (A)：
-2
PD @ 25°C (W)：
0.63
Qg (4.5V)(nC)：
3.20
VGS(th) max (V)：
-1.20
Ciss (pF)：
325
Coss (pF)：
63
Crss (pF)：
37
Qgd (nC)：
0.90
tD(on) (ns)：
11
tD(off) (ns)：
22
Trr (ns)：
6.10
Qrr (nC)：
1.40
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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