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AO4813	文件：185.64 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4813 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard product AO4813 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4813L is a Green Product orde 文件：185.64 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4813	文件：1.48931 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4813；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -7.1 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：1.48931 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4813	文件：1.0229 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs - Game Stations 文件：1.0229 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4813	文件：286.13 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET 文件：286.13 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4813	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V Dual P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4813-HF	文件：1.95416 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4813；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = -30V ● ID = -7.1 A (VGS = -10V) ● RDS(ON) 文件：1.95416 Mbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4813L	文件：185.64 Kbytes Page：4 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4813 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard product AO4813 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4813L is a Green Product orde 文件：185.64 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4813_11	文件：286.13 Kbytes Page：6 Pages	30V Dual P-Channel MOSFET 文件：286.13 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Dual
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
25
4.5V：
40
ID @ 25°C (A)：
-7.10
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
9.60
Qg (10V)(nC)：
19
VGS(th) max (V)：
-2.50
Ciss (pF)：
1040
Coss (pF)：
180
Crss (pF)：
125
Qgd (nC)：
4.60
tD(on) (ns)：
10
tD(off) (ns)：
26
Trr (ns)：
11.50
Qrr (nC)：
25
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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更多AO4813供应商更新时间2025-10-8 10:03:00

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