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AO7404	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel; AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very efficient manufacturing model. Our product portfolio covers 6V to 1000V MOSFETs and 600V, 650V, 1200V, and 1350V IGBTs.	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AO7404	文件：113.75 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO7404usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlowc	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO7404	文件：1.65044 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO7404L	文件：113.75 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO7404usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlowc	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO7800	文件：0 bytes Page：0 Pages	AOS美国万代 SC70-3/SOT-323	AOS美国万代相关企业：深圳市泓利达微科技有限公司	AOS美国万代

技术参数

Status：
Last Time Buy
Package：
SC-70-3L
Vds/V：
20
Vgs/V：
8
Id(A)(25℃)：
1
Id(A)(75℃)：
0.75
Pd(W)(25℃)：
0.35
Pd(W)(75℃)：
0.22
Rds (on) mΩ max(20V)：
0
Rds (on) mΩ max(10V)：
0
Rds (on) mΩ max(4.5V)：
225
Rds (on) mΩ max(2.5V)：
290
Rds (on) mΩ max(1.8V)：
425
Rds (on) mΩ max(1.5V)：
0
Qg (nC)：
1.57

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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