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AO5800E	文件：129.37 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO5800EusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V,inthesmallSC89-6Lfootprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlo	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON5800	文件：132.4 Kbytes Page：4 Pages	Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAON5800usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas1.8Vwhileretaininga12VVGS(MAX)rating.ItisESDprotected.Thisdeviceissuitableforuseasauni-directionalorbi-directionalloadswi	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
APC5800E	文件：261.26 Kbytes Page：10 Pages	DE-COMPRESSIONVOICEIC CHIPFEATURES. ●DUALOPERATIONFREQUENCIES: -32.768KHZ&0.5SECONDTIMERINTERRUPT. -BUILT-INPLLCIRCUITTOGENERATESYSTEMCLOCKMAX20MHZ. ●BUILT-IN2KBYTES(1K16)RAM. ●ADDRESSUPTO8MBYTE(4M16)RAMORROMOR“ROMANDRAM” BUILT-IN16KBYTE(8K*16)PROGRAMROMAND0.5	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS
APL5800	文件：156.63 Kbytes Page：1 Pages	PLLModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.	ASB
AO6262E	文件：0 bytes Page：0 Pages	AOS	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体相关企业：深圳市誉诚盛世科技有限公司	AOS

详细参数

型号：
AO5800E
功能描述：
MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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