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厂商型号

AON5800

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

132.4 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

AOSMD

中文名称

万国半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 13:21:00

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AON5800规格书详情

General Description

The AON5800 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AON5800 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AON5800L is a Green Product ordering option. AON5800 and AON5800L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = 20V

ID = 8 A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 16 mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 20 mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 21 mΩ (VGS = 4.0V)

RDS(ON) < 22 mΩ (VGS = 3.1V)

RDS(ON) < 27 mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 45 mΩ (VGS = 1.8V)

ESD Rating: 2000V HBM

产品属性

  • 型号:

    AON5800

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全称:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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