AO5800E中文资料万国半导体数据手册PDF规格书
AO5800E规格书详情
General Description
The AO5800E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge, and operation with gate voltages as low as 4.5V, in the small SC89-6L footprint. It can be used for a wide variety of applications, including load switching, low current inverters and low current DC-DC converters. RoHS compliant
特性 Features
VDS (V) = 60V
ID = 0.4A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 1.6Ω (VGS = 10V)
RDS(ON)
ESD PROTECTED!
产品属性
- 型号：
AO5800E
- 功能描述：
MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
24+ |
SOT363 |
18560 |
假一赔十全新原装现货特价供应工厂客户可放款 |
询价 | ||
AOS(万代) |
2511 |
标准封装 |
20000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
SC89-6L |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
SC89-6L |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
AUK |
21+ |
07+ |
12588 |
全新原装深圳现货 |
询价 | ||
AO |
23+ |
SC89-6 |
299453 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
AOS/万代 |
2447 |
SC-89 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
AOS(万代) |
23+ |
标准封装 |
20000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
SC89-6 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
SC89-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
