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AO5404E中文资料万国半导体数据手册PDF规格书

AO5404E
厂商型号

AO5404E

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

120.74 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-2 15:13:00

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AO5404E规格书详情

General Description

The AO5404E uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.

-RoHS compliant

特性 Features

VDS (V) = 20V

ID = 0.5 A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 0.55 Ω (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 0.68 Ω (VGS = 2.5V)

RDS(ON)

ESD PROTECTED!

产品属性

  • 型号:

    AO5404E

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 20V 0.5A SC89-3L

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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