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AO5600E规格书详情
General Description
The AO5600E/L uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications.AO5600E and AO5600EL are electrically identical.
-RoHS compliant
-AO5600EL is Halogen Free
特性 Features
n-channel
VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V)
RDS(ON)< 0.65Ω (VGS= 4.5V)
RDS(ON)< 0.75Ω (VGS= 2.5V)
RDS(ON)
p-channel
VDS (V) = -20V, ID = -0.5A (VGS=-4.5V)
RDS(ON)< 0.8Ω (VGS= -4.5V)
RDS(ON)< 1.0Ω (VGS= -2.5V)
RDS(ON)
ESD PROTECTED!
产品属性
- 型号:
AO5600E
- 功能描述:
MOSFET COMPL 20V .6A/.5A SC89-6L
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
-
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AO |
新年份 |
SC89-6 |
12340 |
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈! |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
SC89-6 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-563 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
AO |
20+ |
SC89-6 |
89680 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
SC89-6 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
SOT563 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
AOS/ALPHA |
23+24 |
SOT353 |
136800 |
专业经营原装MOS管,二极管.三极管TVS瞬变抑制 |
询价 | ||
AOS |
2016+ |
SOT563 |
19700 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
AOS/万代 |
22+ |
SC89-6 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
AOS |
23+ |
SOT563 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 |