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AO5600E中文资料万国半导体数据手册PDF规格书

AO5600E
厂商型号

AO5600E

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

948.55 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-4 11:18:00

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AO5600E规格书详情

General Description

The AO5600E/L uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications.AO5600E and AO5600EL are electrically identical.

-RoHS compliant

-AO5600EL is Halogen Free

特性 Features

n-channel

VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V)

RDS(ON)< 0.65Ω (VGS= 4.5V)

RDS(ON)< 0.75Ω (VGS= 2.5V)

RDS(ON)

p-channel

VDS (V) = -20V, ID = -0.5A (VGS=-4.5V)

RDS(ON)< 0.8Ω (VGS= -4.5V)

RDS(ON)< 1.0Ω (VGS= -2.5V)

RDS(ON)

ESD PROTECTED!

产品属性

  • 型号:

    AO5600E

  • 功能描述:

    MOSFET COMPL 20V .6A/.5A SC89-6L

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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