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AO5600EL
厂商型号

AO5600EL

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

948.55 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Alpha & Omega Semiconductors
企业简称

AOSMD万国半导体

中文名称

美国万国半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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AO5600EL规格书详情

General Description

The AO5600E/L uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications.AO5600E and AO5600EL are electrically identical.

-RoHS compliant

-AO5600EL is Halogen Free

特性 Features

n-channel

VDS (V) = 20V, ID = 0.6A (VGS=4.5V)

RDS(ON)< 0.65Ω (VGS= 4.5V)

RDS(ON)< 0.75Ω (VGS= 2.5V)

RDS(ON)

p-channel

VDS (V) = -20V, ID = -0.5A (VGS=-4.5V)

RDS(ON)< 0.8Ω (VGS= -4.5V)

RDS(ON)< 1.0Ω (VGS= -2.5V)

RDS(ON)

ESD PROTECTED!

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AO/万代
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