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AO6401	文件：112.77 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO6401 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 spec 文件：112.77 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6401	文件：1.75085 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.75085 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6401	文件：522.4 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：522.4 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6401	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术用于生产P 沟道功率 MOSFET，其具有卓越的鲁棒性，是负载切换、电池保护和电机驱动的理想选择。	AOS 美国万代	AOS
AO6401	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW
AO6401	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel MOSFET	XW 芯微半导体	XW
AO6401A	文件：2.4933 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.4933 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6401A	文件：452.92 Kbytes Page：7 Pages	丝印：41BL；Package：SOT23-6；30V P-Channel MOSFET Product Summary VDS (V) = -30V ID = -5A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：452.92 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO6401A	文件：772.45 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6401A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO6401A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). F 文件：772.45 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6401A-HF	文件：2.54907 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.54907 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
12
10V：
47
4.5V：
64
2.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
-5
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
7
Qg (10V)(nC)：
14
VGS(th) max (V)：
-1.30
Ciss (pF)：
645
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
55
Qgd (nC)：
2.50
tD(on) (ns)：
6.50
tD(off) (ns)：
41
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
3.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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