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AO6401A	文件：772.45 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6401A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO6401A is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). F 文件：772.45 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6401A	文件：2.4933 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.4933 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6401A	文件：452.92 Kbytes Page：7 Pages	丝印：41BL；Package：SOT23-6；30V P-Channel MOSFET Product Summary VDS (V) = -30V ID = -5A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：452.92 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO6401A	文件：242.83 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：242.83 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6401A-HF	文件：2.54907 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-5 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：2.54907 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6401A_11	文件：242.83 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET 文件：242.83 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6401A	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO6401AL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET P-CH 30V 6TSOP	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
12
10V：
47
4.5V：
64
2.5V：
85
ID @ 25°C (A)：
-5
PD @ 25°C (W)：
2
Qg (4.5V)(nC)：
7
Qg (10V)(nC)：
14
VGS(th) max (V)：
-1.30
Ciss (pF)：
645
Coss (pF)：
80
Crss (pF)：
55
Qgd (nC)：
2.50
tD(on) (ns)：
6.50
tD(off) (ns)：
41
Trr (ns)：
11
Qrr (nC)：
3.50
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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