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AO6800	文件：842.33 Kbytes Page：3 Pages	Dual Channel MOSFET Features • VDS (V) =30V • ID =-3.4 A (VGS =10V) • RDS(ON) 文件：842.33 Kbytes 页数：3 Pages	MULTICOMP 易络盟	MULTICOMP
AO6800	文件：583.58 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H0UA；Package：SOT23-6；Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY * VDS (V)=20V * RDS(ON) 文件：583.58 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO6800	文件：503.97 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H0UAU；Package：SOT23-6；Dual N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V)=20V RDS(ON) 文件：503.97 Kbytes 页数：8 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO6800	文件：234.04 Kbytes Page：5 Pages	30V Dual N-Channel MOSFET 文件：234.04 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO6800	文件：296.17 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：296.17 Kbytes 页数：6 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AO6800	文件：1.39317 Mbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel MOSFET 文件：1.39317 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO6800	文件：1.93873 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.93873 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO6800	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-Channel MOSFET 类型: N沟道漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 5A	XBLW 芯伯乐	XBLW
AO6800	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管	HXY MOSFET 华轩阳电子	HXY MOSFET
AO6800	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	MTW 美台微	MTW

技术参数

Package：
TSOP-6L
Configuration：
Dual
Polarity：
N
VDS (V)：
30
10V：
60
4.5V：
70
2.5V：
90
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
3.40
PD @ 25°C (W)：
1.15
Qg (4.5V)(nC)：
4.70
Qg (10V)(nC)：
10
VGS(th) max (V)：
1.50
Ciss (pF)：
235
Coss (pF)：
35
Crss (pF)：
18
Qgd (nC)：
1.60
tD(on) (ns)：
3.50
tD(off) (ns)：
17.50
Trr (ns)：
8.50
Qrr (nC)：
2.55
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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