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AO4612	文件：142.98 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4612usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardproductAO4612isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4612Lisa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4612	文件：2.54125 Mbytes Page：7 Pages	Marking：4612；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=60V ID=4.5A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4612	文件：2.72031 Mbytes Page：7 Pages	N-Chanel and P-Channel MOSFET use advanced trench technology Description： ThisN-ChanelandP-ChannelMOSFETuseadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdevicemaybeusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,andforahostofotherapplication. Features： N-Channel:VDS=60V,ID=4.5A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AO4612	文件：482.01 Kbytes Page：9 Pages	60V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4612-HF	文件：4.0017 Mbytes Page：7 Pages	Marking：4612；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=60V ID=4.5A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4612L	文件：142.98 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4612usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardproductAO4612isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4612Lisa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4612_10	文件：482.01 Kbytes Page：9 Pages	60V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4612
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 60V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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