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AO4614B	文件：222.39 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4614B/LusesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.AO4614BandAO4614BLareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -AO4614BLis	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4614B	文件：1.62947 Mbytes Page：7 Pages	Complementary Trench MOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=40V ID=6A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4614B	文件：1.78894 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •MotorDrive •MobilePowerBank	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
AO4614B	文件：238.9 Kbytes Page：7 Pages	40V Dual P N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4614B-HF	文件：3.10222 Mbytes Page：7 Pages	Complementary Trench MOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=40V ID=6A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
AO4614BL	文件：222.39 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4614B/LusesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.AO4614BandAO4614BLareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -AO4614BLis	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4614B_11	文件：238.9 Kbytes Page：7 Pages	40V Dual P N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
4614	文件：29.03 Kbytes Page：1 Pages	MountingBase,TripleBananaJackandBindingPost,Miniature	POMONA Pomona Electronics
4614	文件：238.9 Kbytes Page：7 Pages	40VDualPN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
4614	文件：340.26 Kbytes Page：1 Pages	Heyco®-TiteEMCBrassLiquidTightCordgrips	Heyco Heyco
4614H-LF	文件：61.84 Kbytes Page：1 Pages	Networks	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4614M-LF	文件：61.84 Kbytes Page：1 Pages	Networks	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4614X	文件：123.74 Kbytes Page：2 Pages	ThickFilmConformalSIP Features ■Leadfreeversionavailable(seeHowtoOrder“Termination”option) ■RoHScompliant(leadfreeversion)* ■LowprofileiscompatiblewithDIPs ■Wideassortmentofpinpackagesenhancesdesignflexibility ■Ammo-pakpackagingavailable ■Recommendedforrosinfluxand	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
ACE4614B	文件：1.03079 Mbytes Page：9 Pages	30VComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor Description TheACE4614BusesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedininverterandotherapplications. Features N-channel •VDS=30V •ID=9A •RDS(ON)	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE4614BFM+H	文件：208.39 Kbytes Page：3 Pages	60VComplementaryEnhancementModePowerMOSFET Description ⚫usedininverter ⚫otherapplications Features N-Channel ⚫VDS=60V ⚫ID=5.2A ⚫RDS(ON)@VGS=10V,TYP27mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=4.5V,TYP34mΩ P-Channel ⚫VDS=-60V ⚫ID=-4.2A ⚫RDS(ON)@VGS=-10V,TYP50mΩ ⚫RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP62mΩ	ACE ACE Technology Co., LTD.
AK4614	文件：1.26526 Mbytes Page：69 Pages	6/12-ChannelAudioCODEC	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AK4614VQ	文件：1.26526 Mbytes Page：69 Pages	6/12-ChannelAudioCODEC	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AKD4614	文件：1.26526 Mbytes Page：69 Pages	6/12-ChannelAudioCODEC	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
AO4614	文件：142.89 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4614usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.StandardProductAO4614isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4614Lis	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO4614	文件：358.17 Kbytes Page：9 Pages	40VP-ChannelandN-ChannelMOSFET ProductSummary N-ChannelP-Channel VDS(V)=40V,-40V ID=6A(VGS=10V)-5A(VGS=-10V) RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体

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详细参数

型号：
AO4614B
功能描述：
MOSFET DUAL P+N CH 40V 5A SOIC8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市泓利达微科技有限公司	AO4614B	AOS美国万代	24+	SOP-8	888000	AOS代理商优势供应美国万代AOS全系列	询价
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