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AO4614B	文件：222.39 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4614B/L uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. AO4614B and AO4614BL are electrically identical. -RoHS Compliant -AO4614BL is 文件：222.39 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4614B	文件：1.78894 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive • Mobile Power Bank 文件：1.78894 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4614B	文件：3.90906 Mbytes Page：6 Pages	丝印：4614B；Package：SOP8；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Application \| « Reverse Battery protection ~~ « Load switch \| « Power management « Motor Control \| « Portable Power Adaptors \| 文件：3.90906 Mbytes 页数：6 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4614B	文件：1.62947 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4614B；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 40V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：1.62947 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4614B	文件：238.9 Kbytes Page：7 Pages	40V Dual P N-Channel MOSFET 文件：238.9 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4614B-HF	文件：3.10222 Mbytes Page：7 Pages	丝印：4614B；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■ Features ● N-Channel : VDS (V) = 40V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：3.10222 Mbytes 页数：7 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4614BL	文件：222.39 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4614B/L uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. AO4614B and AO4614BL are electrically identical. -RoHS Compliant -AO4614BL is 文件：222.39 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4614B_11	文件：238.9 Kbytes Page：7 Pages	40V Dual P N-Channel MOSFET 文件：238.9 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4614B	文件：300 bytes Page：1 Pages	互补型功率MOSFETs 40V Dual P + N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4614B	文件：300 bytes Page：1 Pages	40V N+P MOSFET	JGSEMI 金锆半导体	JGSEMI

详细参数

型号：
AO4614B
功能描述：
MOSFET DUAL P+N CH 40V 5A SOIC8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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