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AO4614B	文件：1.62947 Mbytes Page：7 Pages	Marking：4614B；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=40V ID=6A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4614B	文件：1.78894 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •MotorDrive •MobilePowerBank	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4614B	文件：3.90906 Mbytes Page：6 Pages	Marking：4614B；Package：SOP8；COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Application\| «ReverseBatteryprotection~~ «Loadswitch\| «Powermanagement «MotorControl\| «PortablePowerAdaptors\|	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO4614B	文件：222.39 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4614B/LusesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.AO4614BandAO4614BLareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -AO4614BLis	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4614B	文件：238.9 Kbytes Page：7 Pages	40V Dual P N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4614B-HF	文件：3.10222 Mbytes Page：7 Pages	Marking：4614B；Package：SOP-8；Complementary Trench MOSFET ■Features ●N-Channel: VDS(V)=40V ID=6A(VGS=10V) RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4614BL	文件：222.39 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4614B/LusesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedinH-bridge,Invertersandotherapplications.AO4614BandAO4614BLareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -AO4614BLis	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4614B_11	文件：238.9 Kbytes Page：7 Pages	40V Dual P N-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4614B
功能描述：
MOSFET DUAL P+N CH 40V 5A SOIC8
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多AO4614B供应商更新时间2025-7-23 10:03:00

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