AO4614B中文资料万国半导体数据手册PDF规格书
AO4614B规格书详情
General Description
The AO4614B/L uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON)and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used in H-bridge, Inverters and other applications. AO4614B and AO4614BL are electrically identical.
-RoHS Compliant
-AO4614BL is Halogen Free
特性 Features
n-channel
VDS(V) = 40V, ID= 6A (VGS=10V)
RDS(ON)< 30mΩ (VGS=10V)
RDS(ON)
p-channel
VDS(V) = -40V, ID= -5A (VGS=-10V)
RDS(ON)< 45mΩ(VGS= -10V)
RDS(ON)
产品属性
- 型号：
AO4614B
- 功能描述：
MOSFET DUAL P+N CH 40V 5A SOIC8
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
24+ |
SOP-8 |
498264 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
SOP |
3000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
AOS/万代 |
新年份 |
SOP-8 |
3000 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
询价 | ||
AOS/万代 |
24+ |
SOIC-8L |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
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AOS |
22+ |
SOP |
40801 |
原装正品现货 |
询价 | ||
AOS |
25+ |
SOP-8 |
9000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
AOSMD |
22+ |
SOP-8 |
8200 |
原装现货库存.价格优势!! |
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AOS |
24+ |
SOP |
30000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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AOS/万代 |
1950+ |
SOP8 |
4856 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
AOS/万代 |
2019+ |
SOP-8 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 |
