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AO4447A	文件：938.6 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4447A；Package：SOP-8；-30V P-Channel MOSFET Features VDS (V) =-30V ID = -18.5A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：938.6 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4447A	文件：992.94 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switch • Notebook Adaptor Switch 文件：992.94 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4447A	文件：2.18589 Mbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • The AO4447A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.This device is ideal for load switch and battery protection applications. • RoHS and Halogen-Free Compliant Product Summary VDS -3 文件：2.18589 Mbytes 页数：5 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4447A	文件：194.7 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description The AO4447A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.This device is ideal for load switch and battery protection applications. Product Summary VDS (V) = -30V ID = -17A (VGS = -10V) RDS(ON) 文件：194.7 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4447A	文件：383.45 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Trench Power MOSFET technology • Low RDS(ON) • ESD Protected • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • System/Load Switch • Battery Switch • USB-PD Load Switch 文件：383.45 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4447A	文件：1.71304 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-17 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.71304 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4447A_V01	文件：383.45 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET General Description • Trench Power MOSFET technology • Low RDS(ON) • ESD Protected • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • System/Load Switch • Battery Switch • USB-PD Load Switch 文件：383.45 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4447A-HF	文件：1.86494 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-30V ● ID =-17 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.86494 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4447AL	文件：167.04 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4447AL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.This device is ideal for load switch and battery protection applications. -RoHS Compliant -Halogen Free Features VDS (V) = -30V ID = -17A (VGS = -10V) RDS 文件：167.04 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4447A	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 30V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
7
4.5V：
8
ID @ 25°C (A)：
-17
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
41
Qg (10V)(nC)：
93
VGS(th) max (V)：
-1.60
Ciss (pF)：
4580
Coss (pF)：
755
Crss (pF)：
564
Qgd (nC)：
17
tD(on) (ns)：
180
tD(off) (ns)：
1200
Trr (ns)：
32
Qrr (nC)：
77
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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