| 零件编号 | 下载&订购 | 功能描述 | 制造商&上传企业 | LOGO |
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AO4435 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4435usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. -RoHSCompliant -AO4435isHalogenFree ProductSummary V | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 |  | |
AO4435 | 30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4435usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. -RoHSCompliant -AO4435isHalogenFree ProductSummary | WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司 |  | |
AO4435 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
AO4435 | P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-10.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON) | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 |  | |
AO4435 | 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralFeatures VDS=-30VID=-12A RDS(ON) | UMWUMW 友台友台半导体 |  | |
AO4435 | 30V P-Channel MOSFET | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | | |
P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-10.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON) | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 | | ||
30V P-Channel MOSFET | AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体 | | ||
ARX4435TransceiverforMacairH009Specification GeneralDescription TheAeroflexLaboratoriesIncorporatedmodelARX4435andARX4435FParenewgenerationmonolithictransceiverswhichprovidescompliancewithMacairH009databusrequirements. ThemodelARX4435andARX4435FPperformthefront-endanalogfunctionofinputtingandoutputtin | AEROFLEX AEROFLEX |  | ||
P-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | ||
P-ChannelMOSFET Plastic-EncapsulateMosfets FEATURES •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •VDS=-30V,ID=-8A •RDS(on)(m-ohm) 0.020@VGS=-10V,ID=-8A 0.030@VGS=-4.5V,ID=-5A APPLICATIONS •LoadSwitches •B | HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司 |  | ||
DELAYMODULES,TTL,SURFACEMOUNTED | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | ||
P-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | ||
P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The4435Busesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS,lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V. GeneralFeatures ●VDS=-30V RDS | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司 |  | ||
P-ChannelPowerTrench짰MOSFET-30V,-8.8A,20m廓 GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | ||
P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 |  | ||
FastSwitchingCharacteristic | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司 | | ||
P-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | ||
P-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | ||
P-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | |
详细参数
- 型号：
AO4435
- 功能描述：
MOSFET P-CH -30V -10.5A 8-SOIC
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
-
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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AOS美国万代 |
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