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AO4435	文件：174.49 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAO4435usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. -RoHSCompliant -AO4435isHalogenFree ProductSummary V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4435	文件：2.09921 Mbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4435usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. -RoHSCompliant -AO4435isHalogenFree ProductSummary	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4435	文件：1.0027 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4435	文件：1.12161 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-10.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4435	文件：976.65 Kbytes Page：5 Pages	Marking：AO4435；Package：SOP-8；30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralFeatures VDS=-30VID=-12A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4435	文件：687.18 Kbytes Page：5 Pages	Marking：AO4435；Package：SOP-8；30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Theusesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This deviceissuitableforuseasa BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=-30VID=-12A RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO4435	文件：196.37 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4435A	文件：2.88112 Mbytes Page：5 Pages	Marking：4435A；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERALFEATURES @Vos=-30Vio=-9A @Ros(on=20m@Ves=10V @Ros(on=35mO@Ves=4.5V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
AO4435-HF	文件：1.84015 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-10.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4435_11	文件：196.37 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel MOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AO4435
功能描述：
MOSFET P-CH -30V -10.5A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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