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AO4441	文件：460.45 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4441；Package：SOP-8；-60V P-Channel MOSFET Features VDS (V) =-60V ID = -4A (VGS =-10V) RDS(ON) 文件：460.45 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
AO4441	文件：569.37 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AO4441；Package：SOP-8；-60V P-Channel MOSFET General Description The AO4441 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features ID = -4A (VGS =-10V) VDS (V) =-60V RDS(ON) 文件：569.37 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
AO4441	文件：3.19283 Mbytes Page：5 Pages	丝印：4441；Package：SOP-8；P-Channel Enhancement Mode MOSFET Application Load/Power Switching Interfacing Switching Logic Level Shift 文件：3.19283 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
AO4441	文件：156.07 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4441 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4441 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4441L is a Green Pr 文件：156.07 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4441	文件：1.27867 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-60V ● ID =-4 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.27867 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4441	文件：1.06019 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：1.06019 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4441	文件：2.17495 Mbytes Page：5 Pages	60V P-Channel MOSFET General Description The AO4441 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Product Summary VDS -60V ID (at VGS=-10V) 文件：2.17495 Mbytes 页数：5 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4441	文件：659.12 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features： 1) VDS=-60V,ID=-3.2A,RDS(ON) 文件：659.12 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AO4441	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 60V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4441-HF	文件：1.54542 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-60V ● ID =-4 A (VGS =-10V) ● RDS(ON) 文件：1.54542 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-60
VGS (±V)：
20
10V：
100
4.5V：
130
ID @ 25°C (A)：
-4
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
8
Qg (10V)(nC)：
16
VGS(th) max (V)：
-3
Ciss (pF)：
930
Coss (pF)：
85
Crss (pF)：
35
Qgd (nC)：
3.20
tD(on) (ns)：
8
tD(off) (ns)：
31.50
Trr (ns)：
27
Qrr (nC)：
32
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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