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AO4419	文件：1.51059 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-9.7A(VGS=-10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4419	文件：274.52 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4419combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4419	文件：2.52257 Mbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4419combinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications. ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4419	文件：1.2783 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor [ALPHA&OMEGA] GeneralDescription TheAO4419usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4419isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO4419Lis	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AO4419	文件：433.36 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4419；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET ProductSummary VDS-30V ID(atVGS=-10V)-9.7A RDS(ON)(atVGS=-10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
AO4419	文件：577.34 Kbytes Page：8 Pages	丝印：AO4419；Package：SOP-8；30V P-Channel MOSFET GeneralDescription TheAO4419combinesadvancedtrenchMOSFET technologywithalowresistancepackagetoprovide extremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforloadswitch andbatteryprotectionapplications.	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
AO4419	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V); 30V P-Channel MOSFET\n	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AO4419	文件：167.01 Kbytes Page：1 Pages		AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体 PDF上传者：深圳德田科技有限公司	AOS
AO4419	文件：555.34 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AO4419	文件：1.00276 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-30
VGS (±V)：
20
10V：
20
4.5V：
35
ID @ 25°C (A)：
-9.70
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (4.5V)(nC)：
9.60
Qg (10V)(nC)：
19
VGS(th) max (V)：
-2.50
Ciss (pF)：
1040
Coss (pF)：
180
Crss (pF)：
125
Qgd (nC)：
4.60
tD(on) (ns)：
10
tD(off) (ns)：
26
Trr (ns)：
11.50
Qrr (nC)：
25
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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