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AO4425	文件：112.04 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4425 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO4425 is Pb-free (meets ROHS & Son 文件：112.04 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4425	文件：1.48929 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-38V ● ID =-14 A (VGS =-20V) ● RDS(ON) 文件：1.48929 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4425	文件：997.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Load Switches - Notebook PCs - Desktop PCs 文件：997.81 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AO4425	文件：1.69888 Mbytes Page：4 Pages	38V P-Channel MOSFET General Description The AO4425 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Product Summary VDS (V) = -38V ID = -14A 文件：1.69888 Mbytes 页数：4 Pages	WHXPCB 万和兴电子	WHXPCB
AO4425	文件：173.8 Kbytes Page：4 Pages	38V P-Channel MOSFET 文件：173.8 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4425	文件：300 bytes Page：1 Pages	P沟道MOSFET (8V - 60V) 38V P-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AO4425-HF	文件：1.46553 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) =-38V ● ID =-14 A (VGS =-20V) ● RDS(ON) 文件：1.46553 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO4425L	文件：112.04 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO4425 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO4425 is Pb-free (meets ROHS & Son 文件：112.04 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO4425_10	文件：173.8 Kbytes Page：4 Pages	38V P-Channel MOSFET 文件：173.8 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SO8
Configuration：
Single
Polarity：
P
VDS (V)：
-38
VGS (±V)：
25
10V：
11
ID @ 25°C (A)：
-14
PD @ 25°C (W)：
3.10
Qg (10V)(nC)：
63
VGS(th) max (V)：
-3.50
Ciss (pF)：
3800
Coss (pF)：
560
Crss (pF)：
350
Qgd (nC)：
16.10
tD(on) (ns)：
12.40
tD(off) (ns)：
97.50
Trr (ns)：
35
Qrr (nC)：
33
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
Yes
Tj max (°C)：
150

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更多AO4425供应商更新时间2025-10-4 10:03:00

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