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AO3420	文件：187.81 Kbytes Page：4 Pages	丝印：AN**；Package：SOT-23；N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. Standard Product 文件：187.81 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3420	文件：1.85584 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 6 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：1.85584 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3420	文件：701.67 Kbytes Page：6 Pages	N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package Descriptions N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package. Features VDS (V) = 20V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 文件：701.67 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
AO3420	文件：233.93 Kbytes Page：5 Pages	丝印：AN**；Package：SOT-23；20V N-Channel MOSFET 文件：233.93 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3420	文件：300 bytes Page：1 Pages	N- CHANNEL MOSFET in a SOT-23 Plastic Package	BlueRocket 蓝箭电子	BlueRocket
AO3420	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N MOSFET	JGSEMI 金锆半导体	JGSEMI
AO3420	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V/6A N Channel Advanced Power MOSFET	XW 芯微半导体	XW
AO3420-HF	文件：2.00285 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 20V ● ID = 6 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.00285 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
AO3420L	文件：187.81 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch. Standard Product 文件：187.81 Kbytes 页数：4 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AO3420_11	文件：233.93 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel MOSFET 文件：233.93 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
SOT23
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
20
10V：
24
4.5V：
27
2.5V：
42
1.8V：
55
VGS (±V)：
12
ID @ 25°C (A)：
6
PD @ 25°C (W)：
1.40
Qg (4.5V)(nC)：
6
Qg (10V)(nC)：
12.50
VGS(th) max (V)：
1.10
Ciss (pF)：
525
Coss (pF)：
95
Crss (pF)：
75
Qgd (nC)：
2
tD(on) (ns)：
3
tD(off) (ns)：
20
Trr (ns)：
14
Qrr (nC)：
6
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150
Qualification：
Industrial

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